AI算力浪潮驅動存儲市場量價齊升

在AI浪潮的驅動下，2026年伊始，存儲芯片價格持續(xù)上漲。

1月8日，《證券日報》記者在京東等平臺看到，256GB DDR5服務器內存價格已經突破5萬元，有些甚至逼近6萬元。

“存儲產品本輪價格上漲，主要是AI算力需求的爆發(fā)式增長引發(fā)的結構性供需失衡。”上海濟懋資產管理有限公司合伙人丁炳中在接受《證券日報》記者采訪時表示，單臺AI服務器內存需求為傳統(tǒng)服務器的8倍到10倍。隨著AI算力的大爆發(fā)，國際頭部存儲芯片制造企業(yè)向HBM（高帶寬內存）等高端產能傾斜，疊加過去兩年深度去庫存等因素共同驅動，造成結構性短缺，目前來看，供需緊張局面預計將持續(xù)至2028年。

需求有望進一步增長

根據市場研究機構集邦咨詢的報告，自2025年9月初以來，DDR5內存顆粒的現貨價格已上漲超過300%，DDR4內存顆粒的漲幅也達到158%。

光大證券研報顯示，2025年以來，存儲芯片迎來漲價潮，特別是HBM芯片已經成為人工智能發(fā)展浪潮中的“緊俏”產品。

 “AI算力的快速爆發(fā)使內存需求量在短期內激增，同時帶動價格暴漲，存儲芯片市場量價齊升。”萬聯(lián)證券投資顧問屈放在接受《證券日報》記者采訪時表示，從目前AI數據中心的擴張速度看，存儲芯片的需求量有望進一步激增，其價格在2026年可能繼續(xù)上漲。

國金證券研報顯示，Google、Meta、微軟及亞馬遜AWS等北美四大云廠（CSP）持續(xù)擴大AI基礎建設投資，2026年總投資金額有望達到6000億美元的歷史新高規(guī)模。

在這一背景下，存儲芯片行業(yè)的國際大廠大規(guī)模轉移先進制程產能至服務器與HBM應用，以滿足AI服務器的強勁需求，導致消費電子、移動設備等領域的通用型DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）供給嚴重緊縮。

展望后市，國金證券研報認為，2026年全球存儲芯片仍將供不應求，有望持續(xù)漲價，預計2026年DRAM的位元供應量增幅約為15%至20%，而需求增速預計將達到20%至25%左右。

產業(yè)鏈迎歷史性機遇

在業(yè)內看來，國內存儲產業(yè)鏈正迎來歷史性機遇。

丁炳中分析稱，一方面，國產替代進入“兌現期”，另一方面，產業(yè)鏈上的設計、封測與模組等環(huán)節(jié)也將受益。

相關企業(yè)正加速布局。成立于2016年的長鑫科技集團股份有限公司（以下簡稱“長鑫科技”）是中國領先的DRAM存儲芯片研發(fā)制造企業(yè)‌，2025年12月份公司科創(chuàng)板IPO申請獲受理，擬募資295億元投向技改與研發(fā)，計劃2027年底前完成大部分設備導入。‌‌目前，長鑫科技已在合肥、北京兩地擁有3座12英寸DRAM晶圓廠，且已形成DDR系列、LPDDR系列等產品布局。

西安奕斯偉材料科技股份有限公司在1月5日披露的投資者活動記錄表中稱，公司自設立之初就制定了15年的遠期戰(zhàn)略規(guī)劃，計劃通過2個到3個基地投資建設若干座現代化12英寸硅片工廠，最終成為12英寸硅片領域頭部企業(yè)。

寧波江豐電子材料股份有限公司不久前在投資者互動平臺上表示，公司的超高純金屬濺射靶材是制造存儲芯片不可或缺的關鍵材料，已廣泛應用于全球半導體芯片制造環(huán)節(jié)。公司目前正在韓國建設靶材生產基地，以滿足全球市場對高端半導體材料不斷增長的需求，加速全球化發(fā)展戰(zhàn)略。

 “受AI大模型、數據中心、智能終端等方面需求強勁驅動，預計2026年我國存儲芯片市場規(guī)模接近5000億元�！鼻�放表示，AI技術的發(fā)展不僅推動了HBM等高端產品需求，AI推理等新場景也帶動了大容量、定制化存儲的需求，這為國產廠商開辟了新賽道。

本報記者 殷高峰