聯(lián)發(fā)科天璣SoC交由英特爾代工：史上首次

2月10日消息，據(jù)媒體最新報道，聯(lián)發(fā)科天璣系列芯片將交由英特爾代工，這一消息在半導體行業(yè)引發(fā)了廣泛關注。在蘋果初步敲定使用英特爾18A工藝后，英特爾似乎又爭取到了第二大客戶聯(lián)發(fā)科，后者預計將采用英特爾14A工藝。

眾所周知，蘋果可能會選擇英特爾的18A-P工藝用于入門級M系列芯片，這顆芯片最快會在2027年出貨。不止于此，蘋果預計在2028年推出的定制化ASIC將采用英特爾的EMIB封裝技術。目前蘋果已經(jīng)與英特爾簽署了保密協(xié)議，并獲取了其18A-P工藝的PDK樣本用于評估。

值得注意的是，英特爾的18A-P工藝是其首個支持Foveros Direct 3D混合鍵合技術的節(jié)點，該技術允許通過硅通孔實現(xiàn)多個芯粒的堆疊。

現(xiàn)在有一個大膽的傳聞稱，英特爾已成功拉攏到另一個14A工藝的客戶聯(lián)發(fā)科。不過，將英特爾的14A工藝應用于聯(lián)發(fā)科天璣系列等移動芯片并非易事。英特爾決定在18A和14A節(jié)點上全力押注背面供電技術，雖然這項決策能顯著提升性能，但也會帶來嚴重的自發(fā)熱效應。

由于手機內部空間極其有限，這種自發(fā)熱效應對于移動端Soc來說是一項嚴峻挑戰(zhàn)，可能需要額外的散熱措施才能確保穩(wěn)定運行。如果雙方能夠成功克服這一技術瓶頸，不排除聯(lián)發(fā)科和英特爾實現(xiàn)深度合作的可能。